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“纳秒脉冲电源作用下沿面介质阻挡放电激励器特性研究”发表于《高电压技术》
发布时间:2019年04月05日 10:11    作者:    点击:[]

沿面介质阻挡放电(SDBD)等离子体激励器对等离子体产生及其特性参数有着重要的影响,通过光电联合测量手段,分析纳秒脉冲电源作用下,等离子体激励器封装与对称性对放电特性、电子温度、电子密度、振转温度等等离子体特性参数的影响。结果表明:封装有利于稳定放电,提高发射光谱强度和气体温度,增加电子密度,降低能量消耗;对称结构放电发生时刻较早,存在较为明显的二次放电,放电波形与非对称结构及其封装不同,且具有较高的电流峰值和电子温度。随着频率从200Hz增加到1400Hz,三种结构放电对应的谱线强度、气体温度增加,振动温度下降,电子温度受频率的影响较小,研究结果有利于深入理解纳秒脉冲的放电机理及能量传递机理。该文章发表在《高电压技术》上,丰富了纳秒脉冲电源激励作用下激励器结构对放电的影响理论。

上一条:“Space charge behavior of silicone rubber nanocomposites with thermal stepmethod”发表于《Japanese Journal of Applied Physics》 下一条:“氩气气流增强沿面介质阻挡放电等离子体特性的实验研究”发表于《中国电机工程学报》

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